IBM (http://www.ibm.com) утверждает, что ей удалось создать самый быстрый в мире полупроводниковый транзистор, работающий на частоте свыше 110 ГГц и обрабатывающий электрический сигнал длительностью 4,3 триллионных долей секунды (4,3·10-12 с). Транзистор выполнен по новейшей версии собственной технологии кремниево-германиевых полупроводников (SiGe). Скорости, не достигаемые на кристаллах из 100%-ного кремния, реализуются за счет добавления германия. Новая технология имеет рабочее название SiGe 8HP и предназначается производителям коммуникационного оборудования. Сейчас IBM работает над проектированием микросхем с технологией SiGe 8HP совместно с рядом заказчиков в области коммерческих систем проводной связи. Для беспроводной связи IBM предлагает два новых варианта применения новой технологии — SiGe 5PA и SiGe 5DM. Появление первых микросхем, основанных на новой технологии, ожидается в течение 2002 года.
Как утверждает исследовательская фирма IC Insights (отчет 2002 McClean Report), в 2001 году общий объем продаж продукции SiGe составил 320 млн долл., а к 2006 году он достигнет суммы в 2,7 млрд долл. При этом доходы IBM от продажи SiGe составили более 80% от всего объема рынка SiGe в 2001 году.
Отметим, что IBM разработала свой первый вариант кремниево-германиевой технологии в 1989 году, а затем первой же выпустила на рынок большую партию стандартизованных SiGe-микросхем в октябре 1998 года.
