Корпорация IBM (http://www.ibm.com/ru) представила усовершенствованную версию усилителя мощности, который используется в мобильных телефонах и других беспроводных устройствах. По мнению специалистов IBM, благодаря новой микросхеме удастся радикально уменьшить стоимость и размер персональных электронных устройств.
Усилители изготовлены на основе разработанной IBM кремниево-германиевой (SiGe) технологии. Кремниево-германиевые микросхемы выделяют значительно меньше тепла, чем микросхемы на основе GaAs, что позволяет существенно повысить термостойкость устройств. Кроме того, технология BiCMOS на основе SiGe позволяет повысить степень интеграции микросхемы и сделать усилители мощности сверхминиатюрными.
В январе были анонсированы три SiGe-усилителя, образующие единое семейство. Они предназначены для устройств, работающих соответственно в стандартах сотовой связи TDMA 800 МГц (уже выпущен), CDMA 800 МГц и CDMA 1900 МГц (разрабатываются). Все три усилителя производятся IBM по технологии BiCMOS 5AM 0,35 мкм.
